財經中心／廖珪如報導
外媒開始討論MLCC會不會複製HBM需求推升記憶體的行情，從股價表現、外資調升目標價到產業漲價訊號，確實跟去年9月之後的記憶體有不少相似之處。花旗6月8日報告將國巨（2327）目標價一口氣從495上調超過三倍至1500元，背後反映的核心觀點，就是AI正在推動被動元件產業進入一個新的結構性成長階段。
素有半導體先知、鈞弘資本執行長沈萬鈞在粉專「萬鈞法人視野」分析這篇報告指出，過去MLCC最大的需求來源是手機與PC，一支手機約使用800至1500顆MLCC，一台筆電約800顆，一台電動車約1萬顆。AI資料中心出現後，需求規模完全改變。GB200 NVL72機櫃約使用15萬顆MLCC，Rubin平台提升至接近90萬顆，未來Rubin Ultra仍有大幅增加空間。除了數量增加，高容值、高耐壓、高可靠度產品的占比持續提高，單機櫃MLCC價值量從H100時代約3000美元提升至GB200的12000美元，Rubin Ultra有機會達到40000美元以上。
產業最大的變化來自供給端。AI伺服器使用的高階MLCC需要更薄的介電層、更高的堆疊層數以及更嚴格的可靠度要求。普通MLCC大約100層上下，高階AI產品已經提升到500層、1000層甚至1400層以上。製造週期由原本約26天拉長至50天以上，良率同步下降。一顆高階MLCC所消耗的產能約為普通產品的4倍，當Murata、三星電機、TDK等主要供應商將產能轉向AI產品後，整體產業可供應的有效產能開始收縮。
近期很多產業訊號，外媒傳出Murata調漲15%至35%，太陽誘電調漲6%至13%，三星電機停止報價等待新價格，華新科發出漲價通知，TDK則在法說會提到AI被動元件相關營收未來五年有機會成長10倍。各家公司的說法雖然不同，但共同指向同一件事情：AI需求正在持續吸收高階產能，供需平衡逐漸改變。
花旗這次特別強調的重點並非單一產品漲價，而是多產品同步受惠。除了MLCC之外，晶片電阻與鉭電容同樣受惠於AI供供電架構升級。報告預估國巨MLCC、晶片電阻與鉭電容未來幾年ASP年複合成長率分別達20%、16%與25%，並將2028年EPS預估拉高至43元以上。當高階產品占比持續提升，價格上漲與產品組合優化將同時推升獲利能力。
從產業結構來看，AI對MLCC的影響與當年HBM帶動記憶體產業的邏輯有許多共通點。需求快速成長、高階產品消耗大量產能、產業集中度高、供給擴張速度落後需求增長，最終形成價格與獲利同步上升的循環。差別在於MLCC應用範圍更廣，從AI伺服器、車用電子、工業設備到消費電子全面涵蓋，因此影響範圍遠大於單一終端市場。
如果未來兩到三年Rubin、Rubin Ultra以及800V HVDC架構持續推進，市場看到的將不只是AI伺服器MLCC需求增加，而是整個被動元件產業供需結構的重新平衡。花旗將國巨目標價提高到1500元，本質上反映的是市場開始用AI基礎設施供應鏈的角度重新評價國巨，而非單純以傳統被動元件公司的景氣循環來看待這家公司。這也是近期外資報告持續上修獲利預估與評價倍數的主要原因。算力推動GPU、CPU、記憶體需求，而算力需要電力，又推升PSU、被動元件、功率元件需求，這兩道主軸已成為AI時代最受惠的焦點。
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