目標為第三類半導體「類IDM」 台亞氮化鎵方案2023年送樣

文|盧佳柔
台亞半導體新任總經理衣冠君今年4月上任後,即積極推動氮化鎵業務,期能結合台亞過去在三五族磊晶的經驗,拓展新的事業版圖。(台亞提供)

台亞半導體(以下簡稱台亞)於今(23)日舉行股東會,在會後記者會採訪中,台亞半導體新任總經理衣冠君表示,台亞將以成為第三類半導體的「類IDM」廠商為目標,積極投入氮化鎵(GaN)解決方案,預計在2023年可以進行送樣。

衣冠君指出,台亞過去在光磊時期,就累積許多LED三五族材料研發能量,擁有非常豐富的磊晶經驗,而後台亞跨足半導體後,就積極投入氮化鎵,目的就是希望在矽(Silcon)基礎的產業上,結合原有的光電產業發揮最大效益。

衣冠君談到,台亞現在已具備氮化鎵磊晶和封測的能力,並且擁有相關的人才,未來希望和IC設計業者合作,成為第三類半導體中的「類IDM」業者。

當被問及,一般專業分工的半導體代工方式,上游的磊晶與封測也會和IC設計業者合作,台亞口中的「類IDM」的概念是甚麼?衣冠君回應,台亞的類IDM策略是由台亞負責定義規格,請IC設計業者幫忙設計適合的IC,實際上產品是配合台亞的需求。

衣冠君強調,現在氮化鎵的參與者很多,在第三類半導體領域內只做純代工沒辦法賺錢,像是磊晶製造環節的元件驗證,結果往往掌握在元件商手裡。也因如此,台亞一開始就希望從設計端著手,朝IDM的未來前進。

以此目標發展,最好的方式是從設計到終端產品都有合作夥伴。衣冠君表示,台亞在最上游的晶圓與全球LED龍頭日亞化緊密合作,同時本身也掌握上游磊晶、封測能力,現在只缺IC設計和一些關鍵設備的導入,至於終端產品則看客戶,或者日亞化未來也可能成為台亞的最佳客戶。

至於台亞氮化鎵實際量產的規劃藍圖,衣冠君透露,該公司預計今年開始投資設備,預計2023年底前製作出高電子遷移率電晶體(Power HEMT),並進行送樣驗證,其功率範圍約650V左右,著眼於電動車、充電樁或太陽能相關應用。

值得一提的是,2021年剛成立的積亞半導體,則是以投入碳化矽(SiC)領域的高功率元件,今年將更進一步規劃下半年擴大台亞現有廠房潔净室區域,初期規劃產能目標為3,000片,待元件設計進入軌道後,未來更有規劃製作自己的碳化矽磊晶。

更新時間|2022.06.23 06:37

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