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冠捷半導體攜手聯電 28奈米ESF4車規eFlash正式量產

發佈時間2026.01.16 14:59 臺北時間

更新時間2026.01.16 17:30 臺北時間

面對車用控制器對高效能的不斷追求,Microchip Technology 旗下子公司—冠捷半導體(Silicon Storage TechnologyR , SSTR)與全球半導體晶圓代工大廠聯華電子今日共同宣布,SST 的第四代嵌入式 SuperFlashR (ESF4)解決方案,已在聯電 28HPC+ 製程平台上完成全數驗證並正式進入量產階段,具備完整的 Automotive Grade 1(AG1)車規等級能力。

面對車用控制器對高效能的不斷追求,Microchip Technology 旗下子公司—冠捷半導體(Silicon Storage TechnologyR , SSTR)與全球半導體晶圓代工大廠聯華電子今日共同宣布,SST 的第四代嵌入式 SuperFlashR (ESF4)解決方案,已在聯電 28HPC+ 製程平台上完成全數驗證並正式進入量產階段,具備完整的 Automotive Grade 1(AG1)車規等級能力。

SST與聯電攜手打造的 ESF4,不僅可於車用控制器應用中提供強化的嵌入式非揮發性記憶體(eNVM)效能與驗證過的高可靠性,更相較於其他廠商的28奈米高介電係數金屬閘極(HKMG) eFlash 解決方案,大幅減少了額外製程光罩步驟,為客戶帶來更具成本效益與生產效率的方案。

目前已於晶圓代工廠40奈米 ESF3 AG1 平台生產車用控制器產品的客戶,若有升級至先進製程節點的需求,建議評估聯電 28奈米 ESF4 AG1 平台。



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