半導體三巨頭全都要用High NA EUV！英特爾率先量產、台積電按部就班、三星首開DRAM先例

全球半導體製造三巨頭台積電、三星、英特爾接連表態，將全面擁抱高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術，英特爾已經率先量產，台積電按部就班推進量產，三星則是邏輯晶片代工、記憶體都導入。

全球半導體設備大廠艾司摩爾（ASML）接連與台積電、英特爾及三星電子宣布最新合作進展，全球半導體製造三巨頭已全面擁抱次世代高數值孔徑極紫外光（High NA EUV）微影技術。

為了解決High NA技術因數值孔徑提升所面臨的曝光視野減半問題，產業正全面推動從使用數十年的6吋光罩轉型至12吋大尺寸光罩標準，藉此消除光罩拼接（stitching）的物理瓶頸，並大幅提升晶圓廠生產力與降低製造成本，全力支援AI時代下日益複雜的晶片微縮需求。