汎銓攜手國研院打造「類晶圓廠」驗證技術　從材料分析跨足量產前製程驗證

半導體檢測分析大廠汎銓（6830）於今日宣布，攜手國家實驗研究院國家儀器科技研究中心（以下簡稱「國研院國儀中心」），共同推進「類FAB（Fab-like）產線驗證技術」，進一步將既有材料分析能力向前延伸至製程模擬與生產驗證環節。透過整合低溫至高溫原子層沉積（ALD）、類FAB產線驗證與先進材料分析技術，汎銓建立從製程模擬、生產驗證、樣品製備、材料分析到結果驗證的完整服務鏈，正式由傳統分析服務跨入量產前製程驗證領域，為先進製程與先進封裝客戶打造「生產＋驗證分析一條龍」服務模式。

汎銓表示，隨半導體製程持續微縮，極紫外光微影(EUV)、高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)、新材料與先進封裝等技術加速導入，客戶在新製程進入量產前所需的驗證項目與複雜度同步提升，單純在製程完成後進行材料分析，已難以完全滿足研發端對速度與精準度的需求。此次類FAB產線驗證技術的導入，可在接近實際產線條件下，先行模擬關鍵製程並觀察材料反應，再銜接後續結構與材料分析，有助客戶提前發現製程問題、縮短研發驗證循環，並降低正式進入晶圓廠試產後反覆調整的時間與成本，進一步提升新材料與新製程的量產導入效率。

汎銓長期投入先進製程分析技術開發，在EUV相關分析領域累積多項成果。其中，汎銓發展的「低溫原子層沉積(Low-Temperature ALD)覆蓋分析技術」，能在低溫條件下於金屬氧化物光阻劑(Metal Oxide Resist, MOR)表面形成均勻且緻密的奈米級保護層，避免光阻在分析過程中受熱損傷或結構變形，確保分析結果貼近真實狀態，並已建立相關技術專利。