財經中心／廖珪如報導
摩根士丹利（Morgan Stanley）2月4日發布最新大中華半導體產業報告《Old Memory: Upping Pricing Power Again》，指出全球主流記憶體廠商為因應高頻寬記憶體（HBM）需求，正加速縮減舊型記憶體（Legacy Memory）的產能配置。報告顯示，包括 NOR Flash、MLC NAND 及 DDR4 的供給持續收緊，價格上漲動能遠超市場預期。大摩預估，2026 年 DDR4 的供給短缺將從原先預期的 20% 擴大至 26%，主因在於韓系大廠即便面對美系核心客戶，仍堅持減產以支應 AI 相關需求，使電視 SoC、舊型伺服器與車用電子等領域面臨供給中斷風險。
報告指出，MLC NAND 的短缺情況最為嚴峻，預估 2026 年供給缺口將超過 30%。除三星（Samsung）持續減產外，鎧俠（Kioxia）與美光（Micron）亦可能跟進，儘管智慧型手機需求放緩，但供給端的巨大衝擊已遠超需求降幅。至於 NOR Flash 領域，預估 2026 年缺口將達 8%，主要受到亞洲產能轉移與美系廠商減產影響，中國代工廠的支持力度亦有限，導致部分小型設計公司的報價漲幅已高達 50%。此外，AI 推論階段的 KV Cache 成為運算瓶頸，進一步推升了 HBM 的需求量，並強化了舊型記憶體產能被排擠的結構性格局。
受惠於「記憶體超級循環（Memory Supercycle）」持續壓縮舊型產能，摩根士丹利全面調升台系相關業者目標價，並維持產業評等為「Attractive（吸引）」。其中，華邦電（2344）因其產品組合佈局，目標價由 130 元大幅上調至 155 元，被列為大中華記憶體族群的「Top Pick（首選）」。其他上調目標價的公司還包括南亞科（2408）目標價從298元調至 348 元、旺宏（2337）從93元調至 121 元、力積電（6770）從77調至 88 元。
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