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熱/記憶體回神緊抱 4檔台股目標價曝

發佈時間2026.02.10 03:00 臺北時間

更新時間2026.02.10 08:30 臺北時間

摩根士丹利最新報告指出,受高頻寬記憶體(HBM)需求激增影響,全球主流記憶體廠正加速縮減舊型記憶體(Legacy Memory)產能,導致NOR Flash、MLC NAND及DDR4供給持續緊縮,價格上漲動能超乎預期。報告預估,2026年DDR4供給短缺將擴大至26%,MLC NAND缺口逾30%,NOR Flash亦達8%,部分報價漲幅已達50%。此結構性轉變使電視、伺服器及車用電子等領域面臨供給中斷風險。大摩維持記憶體產業「吸引」評等,並調升台系相關業者目標價,其中華邦電(2344)因產品組合優勢,目標價上調至155元,獲列大中華記憶體族群首選,南亞科(2408)、旺宏(2337)、力積電(6770)等亦獲調升,預示記憶體超級循環持續發酵。

財經中心/廖珪如報導

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大摩報告指出,受惠於「記憶體超級循環(Memory Supercycle)」持續壓縮舊型產能,摩根士丹利全面調升台系相關業者目標價,並維持產業評等為「Attractive(吸引)」。其中,華邦電(2344)因其產品組合佈局,目標價由 130 元大幅上調至 155 元,被列為大中華記憶體族群的「Top Pick(首選)」。其他上調目標價的公司還包括南亞科(2408)目標價從298元調至 348 元、旺宏(2337)從93元調至 121 元、力積電(6770)從77調至 88 元。(AI製圖,模擬情境)

上週市場最紅類股記憶體遭到擊殺,摩根士丹利(Morgan Stanley)多次出具報告為記憶體族群背書,9日記憶體族群也全面回神,再度回到亮點族群。在大摩出具報告中指出,大中華半導體產業報告《Old Memory: Upping Pricing Power Again》,指出全球主流記憶體廠商為因應高頻寬記憶體(HBM)需求,正加速縮減舊型記憶體(Legacy Memory)的產能配置。報告顯示,包括 NOR Flash、MLC NAND 及 DDR4 的供給持續收緊,價格上漲動能遠超市場預期。大摩預估,2026 年 DDR4 的供給短缺將從原先預期的 20% 擴大至 26%,主因在於韓系大廠即便面對美系核心客戶,仍堅持減產以支應 AI 相關需求,使電視 SoC、舊型伺服器與車用電子等領域面臨供給中斷風險。

報告指出,MLC NAND 的短缺情況最為嚴峻,預估 2026 年供給缺口將超過 30%。除三星(Samsung)持續減產外,鎧俠(Kioxia)與美光(Micron)亦可能跟進,儘管智慧型手機需求放緩,但供給端的巨大衝擊已遠超需求降幅。至於 NOR Flash 領域,預估 2026 年缺口將達 8%,主要受到亞洲產能轉移與美系廠商減產影響,中國代工廠的支持力度亦有限,導致部分小型設計公司的報價漲幅已高達 50%。此外,AI 推論階段的 KV Cache 成為運算瓶頸,進一步推升了 HBM 的需求量,並強化了舊型記憶體產能被排擠的結構性格局。

受惠於「記憶體超級循環(Memory Supercycle)」持續壓縮舊型產能,摩根士丹利全面調升台系相關業者目標價,並維持產業評等為「Attractive(吸引)」。其中,華邦電(2344)因其產品組合佈局,目標價由 130 元大幅上調至 155 元,被列為大中華記憶體族群的「Top Pick(首選)」。其他上調目標價的公司還包括南亞科(2408)目標價從298元調至 348 元、旺宏(2337)從93元調至 121 元、力積電(6770)從77調至 88 元。

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