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熱/記憶體大崩潰? 大摩報告這樣說

發佈時間2026.03.21 01:00 臺北時間

更新時間2026.03.21 05:00 臺北時間

記憶體超級循環由DDR4轉向遺留型Flash。DDR4漲勢收斂,但遺留型NAND與NOR Flash因供給告急,漲勢看俏。旺宏(2337)憑獨家優勢,獲大摩升為首選,目標價202元,估ASP漲逾200%。愛普*(6531)受惠先進封裝,目標價700元。南亞科(2408)、華邦電(2344)降評中立。此波週期料延續9至18個月,供應優勢業者受惠。

財經中心/廖珪如報導

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大摩最新報告指出,老記憶體超級循環正轉向遺留型Flash。法人調整評級,將旺宏(2337)升為首選,目標價上調至202元;愛普*(6531)目標價升至700元。南亞科(2408)與華邦電(2344)遭降評中立,目標價分別調為298元與140元。此報告因為評級大洗牌(原本華邦電為大摩首選),導致3月20日記憶體族群大崩潰。(圖/資料照)

大摩最新報告指出,老記憶體超級循環正轉向遺留型Flash。法人調整評級,將旺宏(2337)升為首選,目標價上調至202元;愛普*(6531)目標價升至700元。南亞科(2408)與華邦電(2344)遭降評中立,目標價分別調為298元與140元。

摩根士丹利大中華半導體團隊在最新釋出的報告中表示,投資人應開始區分老記憶體領域的產品差異,轉向選擇性布局。回顧過去一年,DDR4合約價格經歷高達百分之七百五十二的驚人漲幅,但展望今年下半年,終端需求已呈現走弱跡象。隨著供應缺口縮小至百分之二十以下,加上三星電子維持平穩出貨、力晶可能對外授權製程,以及長鑫存儲預計於明年開出新增產能,DDR4的定價能力恐面臨趨緩壓力。

相對照於DDR4的逆風,遺留型快閃記憶體市場正迎來截然不同的光景。目前市場上的MLC與傳統TLC NAND供給短缺正持續加劇,全球容量介於2GB至64GB的產能幾乎消失,下游客戶庫存僅能支撐六到九個月。在極端供需失衡下,旺宏成為當前唯一能填補此巨大缺口的供應商。外資研判,在短缺率恐達百分之四十的推波助瀾下,旺宏今年各季的產品平均售價漲幅有望突破百分之二百。同時,NOR Flash也將延續強勁漲勢,預期首季價格將攀升百分之二十至三十,第二季更保有進一步上行的空間。

基於產業趨勢的顯著轉變,摩根士丹利將旺宏今明兩年的每股盈餘預估值分別大舉調升百分之十與百分之六十七,並預期其明年營收將迎來百分之四十八的成長。外資看好旺宏在今年第四季至明年第一季的股東權益報酬率將飆升至百分之五十二與百分之六十五,顯示其股價淨值比仍具備龐大的擴張潛力。另一方面,深耕先進封裝領域的愛普也同樣獲得外資青睞,受惠於矽中介層技術出貨展望強勁,其商機將於明後年逐步擴大。外資團隊強調,老記憶體的超級循環並未結束,而是正式轉移至NOR與MLC NAND領域,這段週期預計可再延續九個月至一年半,呼籲市場留意供應優勢業者的表現。

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