財經中心／廖珪如報導
隨著AI資料中心持續擴建，法人指出，根據美光最新財報及產業分析，AI基礎設施正推動記憶體產業進入結構性供給吃緊的超級循環（Super Cycle），高頻寬記憶體（HBM）產能預計將一路緊缺至2027年以後，帶動DRAM與NAND Flash供需失衡延續至2028年。在AI伺服器需求快速成長、長期供貨合約興起，以及邊緣AI帶動記憶體容量提升下，記憶體原廠營運前景持續看旺。法人表示，HBM大量排擠DRAM產能，使成熟型DRAM供給持續收縮，加上AI伺服器與邊緣裝置對記憶體容量需求同步提升，推動整體記憶體報價維持上行趨勢，看好台灣記憶體供應鏈將持續受惠。
其中，南亞科（2408）受惠HBM排擠效應帶動2026年DRAM價格大幅走揚，營收與獲利可望快速成長。除受惠記憶體景氣循環外，公司也積極布局DDR5、LPDDR5及AI客製化記憶體，新廠預計2027年投產，支撐中長期成長動能。法人給予支撐價398元、壓力價505元。
華邦電（2344）則受惠DDR4、LPDDR4、NOR Flash及SLC NAND產品價格同步上漲，獲利可望明顯提升。法人指出，公司持續擴充高雄16奈米DRAM產能，同時布局客製化記憶體業務，有助維持未來兩年高成長、高獲利週期，支撐價182元、壓力價234元。
此外，群聯（8299）也受惠NAND Flash報價走揚，以及AI資料中心持續擴建帶動儲存需求增加。法人認為，群聯憑藉完整供應鏈布局，以及PCIe 6.0控制晶片、aiDAPTIV+等產品優勢，可望持續受惠AI儲存市場成長，成為AI基礎建設的重要受惠廠商。法人給予支撐價2460元、壓力價2880元。
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