記憶體大廠SK海力士ADR14日收盤狂飆27%，引爆記憶體族群股價同步飆漲，國內記憶體廠華邦電（2344）今（15）日早盤也一舉衝上漲停價180.5元，收復5日線。研調機構集邦科技（TrendForce）日前發布最新報告，看旺SLC NAND晶片後市，由於高層數3D NAND等高附加價值產品排擠成熟製程產能，MLC NAND供給極度短缺，加上部分工控、車用和網通客戶計畫改採SLC NAND，供需缺口急遽擴大。預期下半年SLC NAND晶片合約價將較上半年大漲120%至170%，甚至還有上修空間，華邦電身為SLC NAND晶片供應商，營運成長動能備受期待。小摩最新報告給予華邦電（2344）優於大盤評價，目標價360元、力積電（6770）同樣優於大盤，目標價100元。
摩根大通（小摩）最新報告指出，華邦電今年可望賺進近3個股本，每股純益（EPS）上看28.5元，明年甚至看賺6個股本。基於強勁獲利預期，小摩除給予優於大盤評級，目標價也一口氣上調41%，由255元調升為360元。小摩分析，利基型DRAM的定價能力優於預期，加上AI伺服器所需的NOR快閃記憶體出貨量正快速攀升，是華邦電後市的2大催化劑，且與目前股價相較，等於還有超過100%的上漲空間，進場價格極具吸引力。
外資認為，市場過度低估企業級固態硬碟（eSSD）對DDR4的強勁需求，預期未來2年內，DDR4將持續供不應求，進而支撐其價格不墜，且2027年AI伺服器將佔華邦電NOR快閃記憶體約5成出貨量。在營收占比部分，包含eSSD DRAM與NOR在內的AI業務，明年預計將貢獻約3分之1營收。至於第3季報價走勢，外資預估華邦電DDR3與DDR4合約價有望季漲50%，高於原預估的20%至30%。而高雄廠產能提升正按計畫進行，最快今年底或明年初可達每月2.5萬片晶圓投片量目標，較第3季約1.5萬片顯著成長。
在力積電（6770）部分，小摩預期記憶體代工業務的漲價力道與毛利率回升速度皆快於預期，加上邏輯代工業務進展順利，產品組合持續優化。例如提高記憶體營收佔比、增加邏輯業務中電源管理晶片比重，並降低面板驅動晶片和感測器比重，這些舉措都將支撐力積電的產品平均單價持續成長。外資點名其長期成長的主力驅動因素，包含自主研發的1X與源自美光的1P節點技術轉移等DRAM製程升級、承接自美光的HBM晶圓後段製造、供應英特爾EMIB封裝的矽電容晶圓、承接自台積電CoWoS產能吃緊的矽中介層需求外溢，以及晶圓堆疊等更具能效的記憶體架構。
由於力積電8吋與12吋晶圓上半年已調漲10%至15%，7月二度漲價的幅度更高達45%，小摩預期第4季將迎來強於預期的營收與獲利回升。考量營收與毛利率擴張將超越短期的漲價動能，並一路延續至2028年，小摩對力積電維持優於大盤評等，並給予100元的目標價。
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