AI晶片功耗與熱流密度持續攀升，散熱產業技術競爭正由傳統水冷板流道微縮，進一步轉向精準解熱與雙面液冷。研究機構指出，多晶片、HBM及異質整合架構使晶片封裝內部熱源分布更加複雜，新一代微通道水冷板必須針對不同熱點客製化流道；另一方面，隨垂直供電（VPD）架構逐步發展，晶片上下兩側均產生散熱需求，雙面水冷有望成為下一階段AI散熱重要技術方向，帶動單機液冷價值進一步提升，奇鋐（3017）、雙鴻（3324）可望受惠。研究機構指出，過去水冷板技術升級主要著重於縮小微通道尺寸，以增加液體與金屬接觸面積、提升熱交換效率，但隨AI GPU及ASIC功耗持續增加，單純縮小流道已不足以滿足新一代晶片散熱需求。
主要原因在於AI晶片逐步採用多晶片、HBM與異質整合設計，同一封裝內不同區域的功率密度差異愈來愈大。若水冷板仍採取相對平均的流道配置，部分冷卻能力可能被配置於低熱區，反而限制局部熱點的解熱效率。因此，新一代微通道設計開始依照晶片實際熱源分布，調整流道排列、密度及冷卻能力，讓有限的冷卻液流量集中處理高熱通量區域。以緯穎（6669）公開的高精度微通道技術為例，可依晶片實際熱分布進行客製化設計，並對應超過每平方公分350瓦（350W/cm²）的高熱通量。研究機構認為，這意味高階水冷板的競爭門檻，正從金屬加工與流道微縮，延伸至熱模擬、精密流道設計及局部熱點管理能力，也將帶動產品單位價值提升。
除了微通道升級，垂直供電也可能進一步改變AI伺服器散熱架構。隨AI晶片功耗提高，但核心工作電壓仍維持約1V等級，高功率運算所需電流快速攀升，目前高階AI加速器電流已突破1000A，使供電路徑的I²R導通損耗與散熱問題更加突出。為降低電力傳輸損耗，次世代AI晶片供電逐步朝垂直供電發展，透過將電源轉換元件配置於AI晶片下方，縮短最後一段低電壓、高電流的供電路徑。不過，當高功率供電元件集中至晶片下側，也會形成新的高熱區，使散熱需求從過去主要集中於晶片上方，進一步延伸至晶片上下兩側，為雙面液冷架構創造需求。緯穎的雙面液冷方案已由2025年支援逾4kW熱負載，進一步提升至2026年最高可支援6kW功耗AI ASIC的散熱需求。
研究機構認為，相較傳統單面水冷，雙面液冷不只是增加水冷板數量，上下兩側還必須分別因應運算晶片與供電元件不同的熱源特性，因此對流道設計、熱模擬及系統整合能力的要求同步提高。整體而言，AI散熱產業下一階段成長將不再只是用更多水冷，而是朝更精準、更複雜的熱管理架構發展。隨AI晶片熱流密度提高，微通道水冷板將從單純追求流道微縮，轉向依據晶片熱源分布進行客製化解熱；若垂直供電進一步導入高功率AI平台，雙面液冷也將同步增加單顆AI加速器的水冷板使用量與產品設計難度。研究機構看好，具備水冷板設計、製造以及系統級液冷整合能力的業者將最直接受惠，其中包括奇鋐與雙鴻。隨高階水冷板製程門檻與單機液冷價值同步提升，兩家公司有望受惠下一世代GPU、ASIC平台散熱架構升級。
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