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台積啟動High NA EUV 進補台廠13檔

發佈時間2026.09.10 01:00 臺北時間

更新時間2026.09.10 02:30 臺北時間

台積電近期宣布將自2030年起導入艾司摩爾(ASML)的高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)微影技術,並確立2033年全面量產的藍圖,藉此應對AI晶片複雜架構與製程微縮需求。此項技術升級將引發半導體設備產業的連鎖效應,涵蓋光罩載具、檢測分析及自動化搬運等領域。市場分析指出,隨著製程精度要求提升,家登、辛耘、旺矽及穎崴等台廠供應鏈將同步受惠,迎來新一輪規格升級與資本支出商機,不僅帶動設備需求成長,更進一步推升相關檢測、驗證與測試介面的市場價值,展現台灣半導體產業在全球先進製程布局中的關鍵競爭力。

 

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台積有意自2030年起,在先進製程量產中正式導入艾司摩爾的高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)技術,帶動家登(3680)、家碩(6953)及台灣光罩(2338)、旺矽(6223)、穎崴(6515)與中華精測(6510)受到市場高度關注。此外,零組件與驗證分析供應鏈亦迎來龐大商機,包括景美科技(7899)、宜特(3289),以及尚未上市的漢民測試。(圖/翻攝自TSMC官方YT)

台積公司有意自2030年起,在先進製程量產中正式導入艾司摩爾的高數值孔徑極紫外光(High-NA EUV)技術。隨著先進製程技術持續推進,特別是在AI應用帶動電晶體架構日益複雜的趨勢下,台積公司預期需要使用該技術曝光的光罩層數將隨之增加。艾司摩爾與台積公司發起這項產業合作,確立於2031年建立試產線、2033年微影系統全面就緒導入量產的明確藍圖。市場認為,台積電(2330)攜手全球曝光機設備龍頭推進新世代微影技術,主要透過提高光學系統數值孔徑,進一步提升曝光解析度,以因應先進製程線寬持續縮小的需求。隨雙方深化相關技術合作,市場預期新一代設備導入後,不僅曝光機本身規格升級,周邊產業配套需求也將同步大增。

周邊供應鏈的首波外溢效應即展現在光罩載具、製程量測與自動化搬運等領域。在光罩載具與設備方面,隨製程對潔淨度、精度與品質要求持續提升,帶動家登(3680)、家碩(6953)及台灣光罩(2338)成為市場關注焦點。製程量測與檢測供應鏈則包括辛耘(3583)、由田(3455)及牧德(3563),由於先進製程線寬與結構尺寸持續縮小,使缺陷檢測與良率控制重要性大幅提高,相關設備需求有望同步成長。此外,High-NA EUV新設備體積龐大且系統複雜度極高,晶圓廠在導入新設備時,也需要同步升級廠務整合、自動化搬運與設備介接能力,這波升級潮進而帶動帆宣(6196)與盟立(2464)等工程大廠列入受惠名單。

在電性測試及探針卡領域,隨AI與高效能運算晶片持續朝更高密度、更複雜設計發展,測試介面、探針卡及高階測試需求同步增加,先進製程量產後的測試難度與單位價值可望進一步提升,帶動旺矽(6223)、穎崴(6515)與中華精測(6510)受到市場高度關注。此外,零組件與驗證分析供應鏈亦迎來龐大商機,包括景美科技(7899)、宜特(3289),以及尚未上市的漢民測試。先進製程導入後,從設備零組件到材料、可靠度與失效分析,都需要更高精度驗證,相關工程服務需求有望隨製程複雜度提高而增加。整體而言,新技術將先進製程升級效應擴散至各大環節,台灣半導體設備與測試供應鏈有望迎來新一輪規格升級與資本支出商機。

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