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狂盯第8代HBM!韓廠紐約密會黃仁勳

發佈時間2026.09.29 05:01 臺北時間

更新時間2026.09.29 07:30 臺北時間

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輝達執行長黃仁勳日前於紐約會晤三星電子會長李在鎔與SK集團會長崔泰源,三方針對次世代高頻寬記憶體(HBM)與AI基礎設施深化合作。隨著AI加速器效能要求提升,HBM已成算力核心,三星與SK海力士正與輝達展開HBM4E及HBM5聯合研發。三星目標整合記憶體、代工與封裝提供全流程方案,並共建AI超級工廠;SK集團則結合通訊與記憶體優勢,力拚2027年前建置2吉瓦規模AI數據中心。此次會晤顯示全球AI競爭已從單一晶片效能轉向系統整合戰,三巨頭的緊密結盟將重塑全球AI供應鏈技術藍圖,確立未來產業發展方向。
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黃仁勳28日紐約會晤三星與SK掌門人,深化HBM與AI基建合作。三星拚記憶體到代工全流程包辦,SK則強攻2吉瓦AI工廠。三巨頭時隔兩月再聚,牽動全球AI供應鏈重組。(AI製圖)

 

黃仁勳28日紐約會晤三星與SK掌門人,深化HBM與AI基建合作。三星拚記憶體到代工全流程包辦,SK則強攻2吉瓦AI工廠。三巨頭時隔兩月再聚,牽動全球AI供應鏈重組。()

輝達(NVIDIA)執行長黃仁勳於當地時間28日在紐約,與三星電子會長李在鎔、SK集團會長崔泰源進行會晤。此次會面適逢黃仁勳出席韓國協會(Korea Society)年度晚宴並獲頒「範弗利特獎」(Van Fleet Award),三方將針對次世代高頻寬記憶體(HBM)及AI基礎設施的深化合作展開交流,預期將進一步牽動全球AI晶片供應鏈的發展走向。

隨著AI加速器效能要求急遽提升,HBM已成為決定下一代產品算力的核心要件。目前產業研發模式正經歷重大轉變,從過去的GPU設計定型後再選配記憶體,推進至研發初期即同步協同設計。

三星與SK海力士目前不再侷限於單純供應第六代HBM4,雙方皆已著手與輝達建立聯合研發框架,針對第七代HBM4E及第八代HBM5產品進行早期對接,以確保記憶體規格能完美匹配未來GPU的技術路線圖。

在具體佈局方面,三星電子正加速拓展客製化HBM業務,並計畫高度整合旗下的記憶體、晶圓代工與先進封裝三大事業體,企圖提供涵蓋AI晶片全流程生產的解決方案。此外,三星亦與輝達共建AI超級工廠,部署逾5萬顆GPU,將AI與數位雙生技術應用於晶片設計、製造流程及設備運維,雙方合作有望從零組件供需,進一步延伸至晶片產線的AI改造等實體領域。

另一方面,SK集團的策略則將合作範疇大幅擴展至系統級AI基礎設施。旗下SK電信將結合輝達DSX平台與Vera Rubin系統,著手建置最高達2吉瓦規模的AI工廠,預計於2027年分階段投入營運。SK集團正透過整合通訊、資料中心業務與SK海力士的記憶體量能,全面角逐超大型數據中心市場。

此次紐約會晤為三巨頭繼今年7月舊金山全球AI峰會後的再度聚首。業界分析指出,在全球AI軍備競賽下,AI產業的競爭關鍵已從單一晶片效能,轉向涵蓋GPU、記憶體、網路、供電與散熱整合的大型系統戰。此次全球AI供應鏈核心高層齊聚,將針對已落地的合作項目檢視進度,並進一步確立後HBM時代的長期技術藍圖。

 

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