南亞科（2408）持續推進新世代記憶體技術布局，總經理李培瑛針對與日本記憶體大廠鎧俠（Kioxia）合作開發、採用金屬氧化物半導體材料的新型DRAM，南亞科今（12）日在法說會表示，相關研發工作依照雙方規劃持續進行中。至於近期引發關注的高介電常數金屬閘極（HKMG）技術，南亞科指出，這項技術對未來高速、低功耗記憶體應用具有重要價值。
南亞科與鎧俠先前共同開發氧化物半導體通道電晶體DRAM（OCTRAM），透過氧化物半導體材料取代傳統矽基記憶體的部分電晶體通道設計，以改善功耗與記憶體密度。相關技術可望應用於AI、高效能運算及新世代通訊設備。南亞科此次表示，雙方合作仍依照原訂計畫持續推進，但未進一步揭露商業化或量產時程。
另一方面，針對媒體詢問前資深工程師涉嫌竊取公司研發中的HKMG技術架構，南亞科說明，HKMG即High-K Metal Gate，中文為高介電常數金屬閘極技術，對未來高速、低功耗應用相當重要。不過，公司並未進一步說明相關案件的調查進度或實際影響（因為進入司法程序）。
對於該工程師是不敵中國高薪誘惑想偷技術跳槽，公司強調在人力薪酬方面，針對市場關注半導體產業員工分紅制度與人才競爭力，南亞科指出，公司過去20多年來持續實施員工分紅及獎金制度，相關員工酬勞比例均已訂於公司章程，並依既定辦法執行。南亞科強調，公司每季對外公布財務報告時，已將員工酬勞及相關獎金費用納入成本與費用認列，包括近期將發放的員工獎金，以及未來應支付的員工酬勞，均已在各季度財務數字中提列，因此相關獎金支出並非尚未反映於財報的額外成本。
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