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科技巨頭跨足硬體製造再添震撼彈！由馬斯克（Elon Musk）主導的SpaceX與特斯拉（Tesla）共同推動的「Terafab」晶片製造計畫傳出重大進展。馬斯克日前在SpaceX法說會中透露，Terafab的目標是在2028年第三季正式進入量產，長期期望每年能提供相當於1太瓦（1 Terawatt）的強大AI與機器人運算能力。
根據計畫時程，該團隊預計於2027年5月至6月間，在美國德州奧斯汀的研究設施完成首顆靜態隨機存取記憶體（SRAM）測試晶片，並將量產時間點鎖定在2028年的第三季或第四季。
中國信託投信指出，隨著全球AI算力需求持續爆炸性成長，科技巨頭除了依賴外部供應商採購晶片外，也開始積極探索自建晶片製造能力的佈局。若Terafab計畫能如期推進，將為全球半導體設備產業帶來龐大的潛力新增需求，特別是先進製程涉及多項高技術門檻設備，具備關鍵技術與供應能力的廠商將直接受惠。
在強勁的AI運算需求帶動下，全球半導體企業的獲利與財測普遍獲得上修，其中又以上游設備族群最為顯著。觀察今年第三季各大設備廠的明年度每股盈餘預估，愛德萬測試較前一季上調36%、艾司摩爾（ASML）上調23%、東京威力科創上調18%、應用材料則上調12%。
應用材料：7月至9月間同步調漲新舊產品線價格。
東京威力科創：宣布將匯率、採購及物流成本全面反映於售價中。
艾司摩爾：將極紫外光（EUV）與深紫外光（DUV）設備的零件及耗材價格調高10%。
此外，美國銀行近期也大幅上調半導體設備支出預估，預計全球設備總支出將由2026年的1,560億美元，一路成長至2030年的3,600億美元，年複合成長率由原先的19%上修至強勁的23%。
中信日本半導體（00954）經理人許家瑜分析，設備業者的成長動能不僅來自整體出貨量增加，每片晶圓所需投入的設備金額也持續拉高，主要歸因於三大關鍵：
1、微影製程升級：當製程推進至2奈米以下，電晶體與線路間距更為精細，對高階微影設備（如ASML相關機台）的需求更加殷切。
2、架構與堆疊技術要求：新一代電晶體架構及快閃記憶體多層堆疊技術，大幅拉高了蝕刻與沉積製程的精密度要求，相關業者包含科林研發、應用材料及東京威力科創。
3、先進封裝浪潮：先進封裝技術需將不同材質與功能的晶片進行高精度連接，帶動高規格薄化、封裝與接合設備需求，受惠業者涵蓋迪思科（DISCO）及芝浦機電。
值得注意的是，台積電今年4月曾因High NA EUV（高數值孔徑極紫外光）機台每台要價高達4.1億美元而表示將盡量延長現有機台使用年限；然而到了9月，台積電與三星皆雙雙宣布導入該款機台。許家瑜認為，隨著晶圓代工龍頭採購態度轉趨積極，再加上Terafab等新興買家加入戰局，先進設備供給吃緊的情況恐將延續更長的時間。
面對AI帶動的設備需求同步擴大採購客戶數與單位投資金額，中信投信也提醒，Terafab若要達成2028年量產目標，中長期仍將面臨諸多技術與市場挑戰，且短線亦可能受利率及資金面變化干擾。
建議看好AI長線發展、但希望降低單一個股波動風險的投資人，不妨避免過度追高，採取分批進場策略，透過中信上游半導體（00941）布局全球設備龍頭，並搭配中信日本半導體（00954）參與日本關鍵設備供應鏈的長線成長契機。
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