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明年記憶體更缺！華邦電啟動高雄模組B擴產、目標2029年量產
發佈時間2026.08.07 12:37 臺北時間
更新時間2026.08.07 12:37 臺北時間
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華邦電總經理陳沛銘昨（6）日於法說會透露，2027年整體記憶體市場預期將比現在更加吃緊。華邦電正式啟動高雄模組B廠擴產規畫，目標2029年開始量產。
華邦電總經理陳沛銘表示，高雄模組B廠將逐步建置產能，預計2029年開始量產，屆時將成為公司下一波DRAM成長的重要動能。
陳沛銘表示，高雄廠目前月產能約1.5萬片，今年累積庫存逐步去化後，每月出貨可提升至約2萬片，目標年底高雄廠月產能將達2.4萬片。不過，由於新投入產能約需5個月才能產出晶圓，預期新增產能對營收的貢獻將自明年第一季、第二季起逐步顯現。
目前高雄廠月產能1.5萬片中，16奈米製程僅約2,000片。陳沛銘表示，未來高雄廠擴至2.4萬片後，理想目標是將16奈米產能提升至1.6萬片，占整體約3分之2，20奈米則逐步降至約8,000片。不過，實際產品轉換速度仍須視客戶需求而定。
配合高雄廠DRAM擴產，華邦也同步調整台中廠產品配置。陳沛銘表示，目前台中廠每月約有1.2萬片DRAM產能，明年隨著NAND產能提升，DRAM將降至約7,000片，釋出的產能將轉向SLC NAND等產品。
他指出，目前台中廠獲利貢獻最高的是SLC NAND，其次為NOR Flash；高雄廠則仍是公司DRAM生產重鎮，也是目前產值最高的生產基地。
陳沛銘表示，高雄模組B廠投資金額將相當可觀，公司將依市場需求分批裝機，避免一次投入過大資本。他表示，若參考同業公開資料，4.5萬片月產能投資約需新台幣3,500億元，華邦未來若規畫5萬至6萬片，整體投資規模勢必十分龐大，實際金額仍待董事會通過後才會公布。
他也透露，未來正式推動模組B，將開始採購包括EUV在內的重要設備。不過目前EUV交期已拉長至約3年至3年半，公司雖已接獲設備商詢問是否提前下單，但仍須待董事會核准大型資本支出後才會正式下單。
因應龐大的建廠資金需求，華邦也考慮調整與客戶的合作模式。陳沛銘表示，目前DRAM長約（LTA）多為1至2年，但未來模組B啟動後，公司希望將LTA延長至3至5年，並要求客戶預付部分資金，協助分攤資本支出。
對於市場需求展望，陳沛銘預估，2027年整體記憶體市場將比現在更加吃緊，即使主要DRAM廠持續擴產，供給成長速度仍趕不上AI需求。
他指出，三大記憶體廠即使一路擴充HBM產能，估計到2028年整體DRAM位元供給可能也僅增加約20%，但仍遠不足以滿足AI發展需求。目前市場已有不少推論應用因拿不到足夠DRAM而採取降規設計，至於大型語言模型（LLM）訓練則幾乎沒有降規空間。