氮化鎵

面對未來電動車、資料中心、綠能（太陽能逆變器）與無人機市場，可能對第三類半導體產生的龐大商機，台亞半導體大舉投入資金擬定3年擴產計畫，現正積極向竹科管理局爭取銅鑼科學園區用地，待通過竹科管理局審核，將在2026年量產第三類半導體，且將積極導入國產設備。

台亞半導體近期積極搶進第三類半導體事業，將其視為感測元件下一個主力發展的產業。其中，碳化矽（SiC）生產製造，預計年底前完成mini line建置，預計2024年Q1逐季市場；氮化鎵部分，則是預備建置8吋生產線，投入矽基氮化鎵（GaN on Si）方案，現已有已有小量訂單，有望年底前能進入生產階段。

特斯拉在今年CES中公開表示「已使用全球8成碳化矽（SiC）產能」，在碳化矽產能上的挑戰仍無法解決的情況下，開始尋求其他替代方案，讓相同為第三類半導體的氮化鎵（GaN）逆勢竄起；與此同時，因應日益龐大的數據資料，資料中心需求倍增，其運作對於能源消耗龐大，促使各國陸續制定法規期能減少資料中心能源損耗，而氮化鎵可幫助資料中心減少在電源轉換和電路分配上熱能產生的技術優勢，逐漸成為雲端巨頭青睞的關鍵技術。

特斯拉大減碳化矽用量攪動第三類半導體一池春水，讓台廠不得不調整投資布局與步伐，前身為光磊的台亞在GaN水漲船高之時，就以類IDM策略多元布局第三類半導體，希望以一站購足的服務盡可能滿足各種潛在需求。

氮化鎵（GaN）技術其實早已深入生活，例如手機充電器豆腐頭，大多都是用氮化鎵自造而成，而其中背後重要推手之一，就是全球首家生產8吋氮化鎵的垂直整合製造商（IDM）英諾賽科（Innoscience）。據悉，為了加速氮化鎵生態系發展，近期該公司也開始提供代工服務，包含茂達、聯詠等IC設計業都找它們合作。