聯電（2303）與愛普科技（6531）於今(22)日共同宣布展開技術與製造合作，推進AI與高效能運算(HPC)系統的供電解決方案。此次合作結合聯電的深溝槽電容(Deep Trench Capacitor, DTC)製程技術與可擴充的晶圓製造能力，以及愛普科技的矽電容設計與系統層級整合技術，共同因應下一代資料中心在電源效率方面的挑戰。
隨著AI運算工作負載快速成長，運算系統對電源傳輸的要求日益提高，推動資料中心的電源架構從傳統將穩壓元件配置於電路板上，逐步轉向將電容直接嵌入中介層(Interposer)或基板中。此創新架構可縮短電源傳輸路徑、提升電源完整性(Power Integrity)，並支援先進封裝內更有效率的電壓調節。
聯電與愛普科技的合作已於2026年第三季達成重要里程碑，愛普科技S-SiCapTM Gen2D分離式矽電容設計已完成投片及初步功能驗證。下一階段將針對封裝基板中的電容進行完整的系統級效能與可靠度測試，目標是支援不同的電容量與工作電壓需求。雙方也正探討將合作拓展至其他包括矽中介層嵌入式電容及基板底面電容的產品線，以因應多元的系統設計需求。
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