隨著全球人工智慧（AI）與資料中心對超高速網路頻寬的需求急遽攀升，光通訊產業正迎來大規模規格升級與數量爆發潮。根據國內投顧最新產業研究報告指出，400G以上高階光收發模組（Optical Transceiver）出貨量預估於2026年年增79.7%達到1.02億個，2027年將持續年增42.8%至1.46億個。
隨著傳輸速率由400G升級至800G與1.6T，電子級精密陶瓷元件（Ceramic Components）在散熱控制與訊號穩定上的不可替代性顯著提升，成為高階光模組先進封裝的核心關鍵。在AI算力運算集群的帶動下，傳統中低速光模組已無法滿足超低延遲與高頻寬的傳輸需求。報告顯示，2026年市場仍以400G為主流需求，但2027至2028年主流將全面轉向800G。此外，1.6T超高速規格的市場占比預計將從2026年的15%快速上升至2027年的38%及2028年的42%。
先進封裝降功耗 三大陶瓷成標配
在先進封裝架構方面，共同封裝光學（CPO）與近端封裝光學（NPO）將光引擎（Optical Engine, OE）與交換機ASIC晶片共封裝或置於同一PCB板上，能大幅降低傳輸功耗至三分之一至50%。CPO與NPO需求預估將從2026年的41.1萬個爆發性成長至2028年的2228萬個。無論是傳統插拔式模組或先進架構，均需搭配可插拔的外接雷射光源模組（ELSFP），進一步推升相關零組件需求。
光模組傳輸速率越高，發熱量與訊號衰減問題越嚴重；若光晶片溫度過高引發波長飄移（Wavelength Shift），將導致訊號無法穩定傳輸並縮短晶片壽命。精密陶瓷基板具備高導熱性、高電氣絕緣、低介電損耗及熱膨脹係數（CTE）接近光晶片等優勢，在800G以上長距離傳輸光模組中幾乎已成為標配，其中三大核心陶瓷元件包含陶瓷中介層（Ceramic Interposer）、熱電致冷器（Micro-TEC）以及次級載板（Submount）。
打破日美寡占局 台廠切入供應鏈
採氮化鋁（AlN）等材料的陶瓷中介層可承載PIC、EIC、COS及光纖陣列（FAU），取代難以電鍍微細線路的鎢銅（CuW）基座，顯著縮減模組體積並降低高頻雜訊。熱電致冷器利用帕爾帖效應（Peltier Effect）進行控溫，微型化至2mm × 2mm以下，精準維持雷射輸出功率穩定。次級載板則緊貼於CW Laser等雷射晶片下方共封裝，有效導出高功率廢熱。全球電子級陶瓷基板市場長期由Kyocera與Maruwa等日美大廠主導，隨著供需持續吃緊，具備高階微細線路與封裝技術的台廠加速切入供應鏈。
璦司柏專攻薄膜積體電路（DPC）與黃光微影加工技術，陶瓷元件已切入美日大廠，帶動1H26營業毛利率提升至29%；同欣電（6271）亦憑藉高階DPC技術切入AI 800G與1.6T光模組供應鏈。上游雷射晶片與磊晶廠全新（2455）、聯亞（3081）、環宇-KY（4991）受惠於CW Laser強勁需求，石英元件大廠晶技（3042）亦在訊號時脈推升下同步獲益，台廠高階市占率與營運動能看升。
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