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華邦電法說會後 新目標價出爐

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華邦電法說會後 新目標價出爐

 

華邦電(2344)受惠網通交換器與邊緣AI應用亦帶動NOR Flash及SLC NAND需求升溫,使華邦電營運顯著提升,本土券商紛紛給予買進評等,目標價分別為200元、275元。(示意圖/PIXABAY)
華邦電(2344)受惠網通交換器與邊緣AI應用亦帶動NOR Flash及SLC NAND需求升溫,使華邦電營運顯著提升,本土券商紛紛給予買進評等,目標價分別為200元、275元。(示意圖/PIXABAY)

華邦電法說會甫落幕,各家法人紛紛出具新報告,雖然7日因族群疲弱,股價跌,收在163.5元。不過本土券商認為,AI浪潮帶動全球記憶體產業供需結構出現根本性轉變,市場需求已由過往追求性價比與低單價,逐步轉向高效能、大算力與大容量規格。法人指出,第3季DRAM與Flash報價持續走揚,其中DRAM單季漲幅更上看50%,促使華邦電(2344)毛利率仍具持續向上空間。除了AI伺服器拉貨強勁外,網通交換器與邊緣AI應用亦帶動NOR Flash及SLC NAND需求升溫,使華邦電營運顯著受惠。回顧第2季表現,華邦電單季合併營收達598.43億元,季增56.44%,產品組合中客製化記憶體方案占比達53%。受惠產品平均售價大幅提高,第2季合併毛利率升至66.25%,記憶體事業毛利率更衝上70.3%,單季每股純益達5.40元,獲利表現極為亮眼。

除了傳統記憶體業務價量齊揚,華邦電積極布局的矽電容產品也逐步成為公司新的成長引擎。目前矽電容產能已接近滿載,隨著AI晶片先進封裝需求快速擴張,矽電容用量同步爆發,後續可望帶來顯著的獲利貢獻。資本支出與產能配置方面,華邦電調整2026年資本支出預算至395億元,年增高達618.18%,主要用於加速先進製程升級與高雄廠擴產。公司規劃逐步將生產重心由台中轉往高雄,高雄廠Module A預計2026年底前月產能提升至2.4萬片,16奈米新產能也將於2027年起開出,同時正式啟動Module B擴產計畫,目標於2029年進入量產,整體建廠與製程轉換進度相當順暢。

展望後市,法人普遍認為AI需求正深遠地改變記憶體產業定價結構,預期2027年市場供需缺口將進一步擴大,帶動華邦電中長線營運結構持續改善。針對華邦電的獲利預估與目標價,兩家法人皆給予正面評價但看法各有側重。其中一家法人預估華邦電2026年每股純益為24.85元,以預估本益比8倍評價,給予買進評等及200元目標價。另一家法人看法則更為積極,預估2026年與2027年每股純益分別高達32.87元與79.69元,以兩年平均每股純益56.28元乘上4.9倍本益比推算,給予強力買進評等及275元目標價,隱含漲幅逾6成,顯示市場法人對其未來獲利爆發力寄予厚望。

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