AI資料中心持續擴建，正推動全球記憶體產業進入新一輪結構性成長。本土法人10日出具記憶體報告指出，目前DRAM市場約80%為主流型產品，以高容量DDR4、DDR5為主，主要應用於資料中心及PC；其餘約20%為利基型市場，以DDR3及低容量DDR4為主，應用於工控、醫療等領域。供給端則高度集中，三星、美光、SK海力士三大原廠合計市占約95%，中國長鑫存儲約占2%至3%，南亞科（2408）約占1%。
值得注意的是，AI記憶體需求並非僅集中於HBM與DDR5。法人指出，資料中心持續擴建也同步推升企業級SSD需求，而SSD控制器仍需搭配DDR4作為緩衝記憶體（Buffer），使DDR4在AI伺服器及資料中心架構中仍扮演重要角色。在國際大廠逐步退出DDR4市場之際，南亞科等仍具DDR4產能的業者。NAND市場也逐步由過去手機、PC需求疲弱的低谷復甦。法人指出，經過近兩年庫存調整，目前產業庫存已趨健康，加上雲端服務供應商（CSP）為避免2026年NAND供給不足而提前下單，預估2026、2027年NAND市場供需缺口分別約2%及3%，供需結構轉趨有利。
針對近期市場關注輝達（NVIDIA）Vera Rubin平台SOCAMM容量由1,536GB降至768GB，法人認為，不宜直接解讀為AI需求降溫。供應鏈調查顯示，輝達CPU整體潛在市場規模（TAM）並未下修，出貨甚至可能優於原先預期；個股方面，法人首先看好華邦電（2344），預期第三季DRAM平均售價仍可季增50%，漲勢並有機會延續至2027年。其中，利基型DRAM在2026年第三季、第四季及2027年第一季平均售價預估分別季增50%、15%及7%；SLC NAND因缺貨情況加劇，同期ASP則估季增70%、60%及30%。維持「強力買進」評等，目標價由285元調整至275元。
南亞科則被法人視為記憶體產業「降低週期性」的重要受惠者。法人認為，未來3至5年DRAM產業有望從高度循環轉向較高獲利、較低週期性的產業結構，主要來自長期供貨協議（LTA）增加、供給端維持理性擴產，以及AI帶來長期需求三項因素。目前南亞科LTA客戶鎖定的產能占比已達約50%，且持續將短約轉為長約；法人預估南亞科2027年毛利率達87.5%，EPS達140.92元，考量產品組合升級、LTA提高營運能見度，以及產業評價可能重新調整，將目標價由650元大幅上調至1,000元，以2027年EPS給予7倍本益比，維持「強力買進」評等。
晶豪科（3006）同樣受惠利基型記憶體價格上漲。法人將公司2026年毛利率預估由40.1%上修至47.1%，全年EPS則由29.47元大幅調高至57.68元，考量DDR3漲價轉嫁能力優於預期，但下半年毛利率仍可能受到代工成本上升壓力，因此維持7倍本益比評價，目標價由200元大幅上調至400元，維持「強力買進」評等。法人認為，這一輪記憶體行情已逐步從單純的庫存與供給循環，轉向AI算力擴張所帶來的結構性需求。除了HBM與DDR5，高容量DDR4、利基型DRAM、SLC NAND及NOR Flash均受惠供給收縮或需求提升，若2027年供需缺口進一步擴大，記憶體價格與廠商獲利維持高檔的時間可能較過往景氣循環更長。
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