全球半導體設備市場迎來新一波成長動能！中國幣圈媒體《深潮》報導，高盛（Goldman Sachs）8月23日發布全球半導體資本設備產業報告，大幅上修2026年至2028年晶圓前端設備（WFE）支出預測，分別調升至1500億、2180億及2810億美元，較原先預估高出6%、17%及35%，三年年增幅從原先的28%、32%及12%，提高至36%、45%及29%。高盛認為，本輪上修主要由DRAM與先進製程代工需求帶動，NAND及邏輯晶片可望在中期接棒，半導體設備市場正從單一需求驅動，轉向多元成長。
其中，DRAM成為高盛此次上修幅度最大的領域。高盛將2026年至2028年DRAM WFE預測，從原先的460億、670億及740億美元，上調至480億、720億及970億美元，年增幅從45%、45%及10%，大幅提高至50%、50%及35%；三星與SK海力士的資本支出預測則分別上調22%及19%。高盛指出，HBM4是推升DRAM資本支出的重要動力，相較HBM3，HBM4採用更先進的封裝架構，對矽通孔（TSV）密度、微凸塊間距及散熱能力要求更高，帶動每萬片月產能所需的蝕刻、沉積與檢測設備投入增加。即使DRAM資本支出持續維持高檔，產能吃緊的情況仍可能延續至2028年，設備供應商可望擁有更長的訂單能見度。
先進製程代工成為半導體設備市場另一大引擎。高盛將2026年至2028年代工領域WFE預測，從520億、680億及780億美元，上修至580億、840億及1090億美元，年增幅由30%、30%及16%，提高至45%、45%及30%。其中，台積電每年資本支出預測上調80億美元，主要受到N2製程需求升溫帶動。N2是台積電首個採用環繞閘極（GAA）電晶體架構的量產節點，製程複雜度高於N3，對EUV光刻、原子層沉積及選擇性蝕刻等設備需求隨之增加。高盛預估，隨著N2在未來幾季持續放量，將進一步拉動整條半導體設備供應鏈採購。
此外，邏輯／其他領域的WFE預測同樣大幅上修，2026年至2028年從原先的320億、350億及370億美元，提高至340億、470億及530億美元。增量主要來自英特爾需求優於預期，以及成熟製程與類比晶片市場復甦；其中，SpaceX與特斯拉承諾投入約168億美元的Terafab初期設備支出，已被高盛納入邏輯／其他類別。高盛認為，Terafab初期採購涵蓋光刻、蝕刻、沉積與檢測等設備，需求結構與邏輯晶圓代工高度重疊，成為該領域重要的新增動能。隨著後續計畫逐步落地，相關WFE預測仍有進一步上修空間。
至於NAND，高盛將2026年至2028年WFE預測維持在110億、150億及220億美元，其中2027年預測由170億美元下調至150億美元，主要受到部分業者調整資本支出節奏影響。不過，高盛預期NAND設備支出近期仍以技術升級為主，供給偏緊格局可能延續至2027年。在設備供應商方面，高盛看好應用材料（Applied Materials）、科林研發（Lam Research）、ASML、東京威力科創（Tokyo Electron）、ASMI、BESI、Lasertec及荏原等公司。DRAM擴產將帶動蝕刻與沉積設備需求，應用材料與科林可望受惠；台積電N2放量則有利EUV與DUV設備需求，ASML成為重要受惠者；Lasertec可同時受惠DRAM與邏輯擴產，BESI與荏原則有望吃到HBM先進封裝需求。整體來看，高盛此次不只是調高WFE數字，更提高對半導體設備產業景氣的評價。隨著DRAM、先進代工、NAND及邏輯市場陸續擴張，加上Terafab帶來新增需求，設備產業成長動能正從單一復甦轉向多重引擎推進。
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