聯電執行長王石指出，過去市場聚焦AI GPU等運算能力，但目前瓶頸已逐漸轉向記憶體、連線及電源管理，因此短期最具成長性的產品反而是矽光子、PMIC與FPGA，尤其40奈米、65奈米等特殊製程需求明顯增加。
他表示，目前全球需求改善的動能仍由AI帶動，並逐步外溢至記憶體、連線性及電源管理等領域；相較之下，手機、PC等消費性電子需求雖仍未全面復甦，但聯電受惠於22／28奈米及8吋產品市占率提升，今年晶圓出貨仍可望維持成長。
矽光子則是聯電AI布局的重要拼圖。王石表示，公司7月已首次向客戶量產交付12吋矽光子IC，象徵聯電已具備12吋高產量製造能力，並預計2027年推出開放一般客戶使用的12吋矽光子平台。
除了既有平台外，聯電也同步布局鈮酸鋰薄膜（TFLN）技術，目前已量產全球首款TFLN調變器，並開發單通道40G及3.2T產品。王石指出，未來將把TFLN與矽光子IC結合，再透過先進封裝整合為光學I/O解決方案，瞄準400G以上高速光互連市場。他強調，相較市場多數8吋方案，聯電12吋矽光子具有更好的製程控制、良率及傳輸效能，是公司的重要差異化優勢。
王石並於會中宣布，聯電今年資本支出將由原先15億美元提高至20億美元，主要就是支援矽光子與先進封裝等AI相關需求；董事會同時核准未來2～3年近50億美元投資計畫，將依客戶承諾與市場需求分階段執行。
他表示，目前聯電12吋產能利用率已維持健康水準，公司必須提前準備產能，才能掌握AI帶來的新商機，因此除了擴建產能外，也將持續強化先進封裝布局。目前聯電已有超過10家先進封裝客戶、35項以上新產品正在洽談，產品線已從2.5D中介層、3D晶圓對晶圓混合鍵合，逐步延伸至記憶體堆疊等新架構，預計2026年至2027年陸續完成設計定案。
