市場近期對HBM規格下修疑慮升溫，不過本土法人認為，與其聚焦規格變化本身，更應回到供需基本面觀察。法人指出，預計2027年量產的輝達Rubin Ultra，初期採用HBM4e與HBM4的8Hi規格，較可能是因應HBM供給吃緊的必要配置，而非單純出於成本考量。根據供應鏈調查，若後續供給緩解，產品仍有機會由8Hi逐步升級至12Hi。法人依2027與2028年GPU與ASIC出貨量推算，對應HBM需求分別約1.96億顆及2.38億顆；但若假設全數採用12Hi規格，2027與2028年HBM總產量僅約1.52億顆與2.18億顆，明顯不足以支應邏輯晶片需求。在此情況下，部分產品改採8Hi屬合理配置，主要目的在於提高可供應顆數以緩解短缺。至於市場流傳的4Hi方案，法人認為更可能是議價或談判手段，若採用4Hi將使整體記憶體容量明顯下降，反而削弱客戶升級誘因，與高階產品定位並不一致。
在HBM供給方面，本土法人目前對2026至2028年的基本情境假設，整體產業投片量分別約41.4萬片、57.9萬片與74.5萬片，位元出貨量則分別為375億、525億及860億Gb。價格方面，法人預估HBM3e與HBM4每Gb平均價格，將由2026年的1.5美元、2.2美元，大幅提高至2027年的3美元與4.16美元，HBM4e則預計較HBM4再溢價約百分之二十。此外，特殊應用晶片客戶的HBM採購價格預期高於輝達，反映出客戶規模、產品組合與供應條件等差異。法人指出，後續可能影響上述情境的變數包括GPU與ASIC出貨量若大幅下修，或是代理式AI需求持續強勁進一步推升CPU與DDR5需求，促使記憶體原廠將更多產能配置至DDR5而排擠HBM供給。另外，載板與CPU等關鍵零組件若持續短缺，也可能因長短料問題限制AI伺服器實際出貨量。
在HBM持續排擠傳統DRAM產能的情況下，法人目前並不認為2028年DRAM會出現明顯供過於求。預估HBM占整體DRAM投片量比重，將由2026年的百分之十九，提高至2027年的百分之二十四以及2028年的百分之二十八。即使多數新建產能預計於2028年陸續開出，扣除HBM後傳統DRAM投片量年增率仍僅約中個位數百分比，目前尚未看到價格明顯下跌風險。NAND方面，由於DRAM單片晶圓產值遠高於NAND，且部分韓系原廠產能可彈性調度，若DRAM與HBM需求維持強勁，原廠更有誘因將資源配置至高價值產品，使NAND供給不容易快速失控。目前正值價格談判期，蘋果也同步與各家原廠洽談供貨與價格，市場雜音自然增加，但產業趨勢尚未反轉，法人仍看好記憶體原廠獲利延續性。投資標的方面，本土法人首選南亞科（2408），並同時看好華邦電（2344）與旺宏（2337），皆給予增加持股評等。
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