國際中心／綜合報導
針對近期中國傳出成功研發國產EUV光刻機，被視為半導體界「曼哈頓計畫」的傳聞，荷蘭半導體設備大廠ASML執行長克里斯托夫·富凱（Christophe Fouquet）在接受荷媒專訪時嚴正駁斥。他直言目前毫無證據顯示中國接近此技術水平，並強調中國因斷供長達8年，技術落後至少8代，所謂的突破短期內恐難實現。
根據荷蘭《電訊報》（De Telegraaf）最新專訪報導，面對外界對於中國可能自行打造EUV（極紫外光）設備並動搖ASML地位的說法，富凱態度堅定且清晰。他分析，受限於國際制裁與出口管制，中國半導體產業已有8年時間無法取得EUV設備的存取權。依照半導體技術世代的演進邏輯，這意味著中國在先進製程領域，實際上已經落後多達8個世代。
富凱坦言，中國在國家資本的強力挹注下，確實於技術門檻較低的成熟製程與主流晶片領域取得進展，並開始影響全球產業平衡，但在尖端曝光技術上仍有巨大鴻溝。
對於記者提問，西方的技術封鎖是否反而會因差距過大，迫使中國加速建立自主的完整技術體系？富凱並未全盤否認這種可能性，但他從技術現實面提出評估。他強調，EUV技術的複雜度極高，即便中國試圖追趕，這也絕非「3年內」能解決的問題，更可能是一個「10年級別」的長期挑戰。截至目前為止，ASML內部並未看到任何證據能夠支撐「中國已接近EUV技術水準」的論點。
此外， null 也證實，ASML確實在極高層級上與政府監管機構保持對話。但他澄清，公司在對話中的角色並非針對特定國家進行點名，而是負責向政策制定者解釋EUV技術的運作原理、極度複雜性以及開發所需的時間成本，以利監管單位理解技術門檻之高，並非外界想像般容易突破。
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