三星COMPUTEX秀HBM5架構　宣布搶先出貨HBM4E樣品

韓國半導體大廠三星電子於COMPUTEX 2026盛大參展，以「整合式AI半導體解決方案」為展示主題，展現橫跨記憶體、晶圓代工、邏輯晶片與先進封裝的「全方位解決方案」競爭力。近期AI產業競爭已從單一晶片延伸至涵蓋記憶體、儲存、封裝到熱管理等整體系統層級，三星身為全球唯一具備IDM（整合元件製造商）模式的廠商，在此次展覽中首度公開次世代HBM5架構與熱管理技術，同時宣布已開始向全球主要客戶出貨業界首款12層HBM4E樣品，全面搶攻次世代AI基礎設施市場。

在COMPUTEX 2026中，三星首度公開了次世代HBM解決方案HBM4E。HBM4E由三星最先進的第六代10奈米級DRAM製程（1c）核心晶粒，與三星晶圓代工4奈米製程的基礎晶粒結合而成。該產品在設計與製程上進行了全面優化，能穩定支援每引腳最高14Gbps的傳輸速度，未來效能更可擴充至16Gbps，達到最高4TB/s或每堆疊3.6TB/s的記憶體頻寬。此外，12層HBM4E提供48GB容量，較前一代提升30%以上，並可依客戶需求提供32GB（8層）至64GB（16層）的多種配置。透過先進的低功耗設計與優化封裝，HBM4E較前代提升了16%的能源效率，並改善14%以上的熱阻特性，能更有效地散熱，滿足大型語言模型與次世代AI系統的密集數據處理需求。

除了展出HBM4E，三星更前瞻性地首度亮相瞄準HBM5世代的核心熱管理架構技術HPB（Heat Path Block）模型。隨著AI加速器效能與記憶體功率密度快速提升，負責HBM與外部GPU之間超高速資料傳輸的D2D PHY（晶粒對晶粒物理層）已成為Base Die中的主要發熱來源。傳輸速度越快，產生的熱量就越龐大，因此控溫與散熱成為HBM5等高效能產品的關鍵競爭力。三星所開發的HPB技術，其結構設計是在D2D PHY區域額外配置一條獨立的熱傳導路徑，讓熱量能更高效地向外傳導與散發，藉此降低熱阻並提升運作穩定性。目前三星已在HBM4E的基礎上完成HPB技術驗證，並計畫從HBM5開始正式導入，這也是三星首次正式公開下一代HBM架構與熱管理技術的發展策略。