2025.10.23 01:18 臺北時間

熱/華邦電目標價上調 唯一風險曝光

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熱/華邦電目標價上調 唯一風險曝光
記憶體因「剛需」,讓華邦電近期受到資金追捧。(示意圖/PIXABAY)

財經中心/廖珪如報導

記憶體因「剛需」,讓華邦電近期受到資金追捧。(示意圖/PIXABAY)
記憶體因「剛需」,讓華邦電近期受到資金追捧。(示意圖/PIXABAY)

華邦電(2344)8至9月自結每股盈餘(EPS)表現優於預期,主要受惠於DRAM與快閃記憶體價格持續上漲,富邦投顧報告上調2025至2026年獲利預估,並維持「買進」評等,目標價48元,潛在上漲空間約8%。報告顯示,華邦電9月自結EPS達0.26元,累計8至9月約0.42元,優於市場預期。富邦預估,第三季合併營收將季增3.6%、年增2.1%至217.7億元,單季EPS上調至0.54元。分析師指出,華邦電約八成DRAM採合約價,第四季價格漲幅有望超越第三季。

富邦認為,全球AI伺服器與傳統伺服器需求在2026年前將持續成長,隨HBM與DDR5產能擴充造成排擠效應,DDR3與DDR4等傳統DRAM產品供應偏緊,價格漲勢可能延續至2026年底甚至2027年初。富邦預測,第四季營收將季增14.5%、年增33.3%至249.2億元,單季EPS可達0.84元,全年EPS預估為0.84元。

此外,報告指出,除DRAM外,SLC NAND與NOR Flash近期價格也出現雙位數漲幅,顯示記憶體產品線全面進入漲價循環。富邦將華邦電2025與2026年EPS預估值上修至0.84元與3.91元,明顯高於同業預估的-0.07元與1.55元。富邦表示,DRAM產業正受惠於結構性供給不足,價格上行趨勢有望延續至2026年。以2025年底每股淨值計算,本益比約12.3倍、PBR約1.95倍。主要風險包括DDR3、DDR4價格漲勢不如預期,以及中國廠長鑫存儲與兆易創新等競爭者的價格壓力。

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更新時間|2026.03.26 11:06 臺北時間
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