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華為新晶片硬槓台積電!專家揭殘酷真相

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華為新晶片硬槓台積電!專家揭殘酷真相
半導體研究機構SemiAnalysis最新拆解報告揭露華為麒麟9030晶片真相。雖然中芯國際透過多重圖案化與DTCO技術,使該晶片在電晶體密度及線寬數據上看似追平台積電7奈米強化版,甚至超越英特爾18A,但專家直言此舉是靠蠻力硬撐。(示意圖/PIXABAY)

 

半導體研究機構SemiAnalysis最新拆解報告揭露華為麒麟9030晶片真相。雖然中芯國際透過多重圖案化與DTCO技術,使該晶片在電晶體密度及線寬數據上看似追平台積電7奈米強化版,甚至超越英特爾18A,但專家直言此舉是靠蠻力硬撐。(示意圖/PIXABAY)
半導體研究機構SemiAnalysis最新拆解報告揭露華為麒麟9030晶片真相。雖然中芯國際透過多重圖案化與DTCO技術,使該晶片在電晶體密度及線寬數據上看似追平台積電7奈米強化版,甚至超越英特爾18A,但專家直言此舉是靠蠻力硬撐。(示意圖/PIXABAY)

 

半導體研究機構SemiAnalysis發布最新拆解報告,直指華為最新旗艦晶片麒麟9030的殘酷真相。這款採用中芯國際N+3製程的晶片,雖然在電晶體密度上靠著「蠻力」硬生生趕上台積電(TSMC)的7奈米強化版,甚至線寬比英特爾(Intel)最新的18A製程還要窄上10%。但專家坦言,這看似華麗的數據背後卻暗藏致命傷,因為線寬更窄不等於晶片更強,中國半導體技術實力仍落後台積電與英特爾好幾年。

SemiAnalysis透過其拆解實驗室STEEL針對麒麟9030進行電子顯微鏡層級的逆向工程分析。報告點出,中芯N+3製程等同台積電6奈米水準,雖然麒麟9030線寬確實小於採用台積電6奈米的聯發科Helio G99,純密度表現也相當驚人,但這並不代表切換速度更快或功耗更低。

中芯在缺乏EUV曝光機的劣勢下,硬是使出2大絕招追趕密度。第1招是瘋狂疊加的「多重圖案化」(multi-patterning),代價卻是成本狂飆與良率暴跌;第2招則是設計技術協同最佳化(DTCO),雖然能勉強擠出空間,卻讓電晶體變得異常脆弱。報告無情點破這殘酷的現實:中芯只是靠著蠻力硬撐,根本不算與台積電平手。效能表現更是直接露餡,麒麟9030 Pro頂多只能和3年前的Android旗艦機台打平。

反觀英特爾,其18A製程應用於PC處理器Panther Lake時,雖然字面上的金屬間距與中芯N+3持平,但英特爾握有背後供電(backside power delivery)的黑科技,能大幅釋放正面空間,這是中芯完全無法企及的境界。專家直言,中芯未來或許能繼續「爬牆」追趕台積電5奈米或英特爾18A的密度,但每一代新製程的容錯率只會越來越低,這堵高牆注定會越來越陡峭。

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更新時間|2026.07.24 12:00 臺北時間
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