受惠DRAM報價強勁彈升與產品組合改善，記憶體大廠南亞科在今年第一季繳出歷史性的獲利成績單，單季每股大賺8.41元，稅後純益達260.58億元，獲利能力全面爆發。在強勁營運與資金儲備下，南亞科也宣布今年資本支出上限提高至520億元，年增約2.7倍，為公司歷年最高資本支出，較過往3年平均約150億元的水準大幅增加。
南亞科此波擴大投資的焦點在於新產能佈局，約7成的資本支出將用於新北市泰山新廠建設，預計於2027年第一季展開設備裝機。與此同時，南亞科於3月募得787.2億元私募資金，成功引進SK海力士（SK Hynix）、鎧俠（Kioxia）、晟碟（SanDisk）和思科四巨頭入股。南亞科總經理李培瑛表示，客戶直接參與投資，有助於擴大產能與新產品開發；外來也有機會共同合作開發多元DRAM產品組合。
與南亞科並列DRAM雙雄的華邦電同樣進入資本支出擴張期。華邦電董事長焦佑鈞宣布，今年資本支出預計達405億元，並新通過一項73億元的計畫，主要用於CUBE（客製化超高頻寬元件）生產設備，焦佑鈞表示，這筆投資主要為明年量產做準備 ，「DRAM產能現在緊得不得了，為了試做與量產，我們必須先準備好CapEx （資本支出）。」
焦佑鈞觀察市況認為AI需求太強，把所有非AI的需求都擠掉了 。他指出，4大CSP今年資料中心的建置費用高達7,000多億美金，其中伺服器設備需要大量的高密度NOR Flash，正是華邦電的強項。此外，由於國際大廠將2D NAND產能轉向3D NAND，SLC NAND出現龐大缺口，華邦電正積極加產，預計SLC NAND年產出增長率將超過80% 。
此外，記憶體晶圓代工廠力積電4月於法說會也宣布，今年資本支出由原先規劃的4.53億美元上調至5.12億美元（約新台幣160.94億元）。主要用於因應美光（Micron）釋出的高頻寬記憶體（HBM）後段晶圓代工訂單，添購相關機台設備，與美光合作的PWF產線預計2027年第4季量產。
力積電董事長黃崇仁表示，力積電今年起正式轉型為以AI應用為核心的專業晶圓代工廠 。其中，12吋IPD（整合型被動元件）平台已完成國際大廠認證，預計第二季起開始放量。市場消息指出，相關產品將應用於英特爾EMIB先進封裝架構，將會是矽中介層之外，力積電第二個進入量產的3D AI Foundry產品。
針對記憶體代工，力積電表示，儘管市場出現短期雜音，但雲端服務供應商（CSP）近期與DRAM大廠簽訂3年長約，預期供給缺口將持續到下半年。力積電的DRAM代工價已於3月大幅調高，預計6月起反映在營收。此外，力積電與美光合作的1P製程預計2028年量產，產出晶圓顆粒數將是現有平台的2.5倍。
