財經中心／廖珪如報導
摩根士丹利（大摩）在最新釋出的記憶體產業報告中，以「成熟型記憶體的利多驚喜即將到來」為題指出，根據供需模型預測，2026年下半年的DDR4供給缺口達19%至20%，明顯高於原先預估的14%，且2027至2028年缺口將持續維持在18%至20%的高檔。其中，大摩將華邦電（2344）2026至2028年的每股稅後純益（EPS）預估值分別大幅上調23%、65%與94%，以反映DDR4的強勁報價，以及來自矽電容和SLC NAND的新機遇，因此將其投資評等調升至「優於大盤」，目標價更由100元大幅調高至222元。
大摩同樣看好南亞科（2408）的營運前景，將其2026至2028年的EPS預估值分別上調15%、29%與33%，主要反映DDR4價格的強勁上漲趨勢；同時，大摩對南亞科與伺服器及企業級SSD客戶簽訂更多長期合約（LTA）持樂觀態度，因此同步將其評等上調至「優於大盤」，目標價由278元大舉調升至380元。
報告指出，造成供需吃緊的主要原因，在於SK海力士等國際記憶體大廠紛紛縮減產能並轉向更先進的DDR5，加上美光也公告未來二至四個季度的供應將會減少。在供給短缺持續擴大下，大摩預期DDR4的價格將持續走揚，今年第三季的單季季增幅可能高達20%。此外，大摩也特別指出，矽電容正成為利基型記憶體廠商的新一代成長動能。由於矽電容的核心技術在於高深寬比的溝槽結構，其製程邏輯與傳統DRAM如出一轍，這使得具備相關技術的記憶體廠有機會迎來重新評價（Re-rating）的利多催化劑。
另一方面，根據集邦科技（TrendForce）最新的記憶體產業研究顯示，AI發展已逐步從大型模型訓練轉向以推理為核心的Agentic AI應用，這正驅動記憶體需求呈現結構性擴張，且供給缺口短期內完全無法補足，將持續推升價格上漲。因此，TrendForce大幅上調全球記憶體產值預估，將2026年產值從前一版的5516億美元提高至8893億美元，2027年則預計由8427億美元上修至超過1.28兆美元，年增率高達約44%。深入分析DRAM的需求變化，Agentic AI系統的推理請求已由過去的單次轉為持續性的循環，導致KV cache的容量需求隨context window呈現等比級數擴張；若系統需要重新計算，算力成本更將呈指數級暴增。因此，高效管理KV cache已成為決定AI推理效能的決勝關鍵，直接強力帶動了市場對HBM與DRAM的實質需求。
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